Z-RAM : Intel signe une avancée majeure sur le marché de la mémoire DRAM
Une réponse directe aux besoins de l’IA et des centres de données
La Z-Angle Memory cible avant tout les infrastructures d’IA déployées par les hyperscalers. Des géants comme Amazon, Google et Microsoft multiplient les fermes de serveurs pour entraîner des modèles toujours plus volumineux. Or, ces architectures sont limitées par la bande passante mémoire, la consommation énergétique et la dissipation thermique.Intel affirme que la ZAM pourrait offrir :
- une capacité jusqu’à 512 Go par puce,
- une consommation réduite de 40 à 50 % par rapport à la HBM actuelle,
- un coût de production inférieur de 60 %,
- et une densité deux à trois fois supérieure.
Ces promesses positionnent clairement la Z-Angle Memory comme une alternative à la HBM (High Bandwidth Memory), aujourd’hui incontournable dans les serveurs IA.
Une architecture diagonale pour résoudre le problème thermique
Techniquement, la ZAM repose sur un empilement vertical de couches de DRAM, mais avec une différence majeure : les interconnexions ne traversent pas les puces de manière strictement verticale. Elles suivent un trajet en diagonale, ce qui permettrait une meilleure gestion thermique.Cette approche vise à contourner l’un des principaux obstacles des mémoires empilées : l’accumulation de chaleur dans des structures très denses. La technologie s’appuie sur la plateforme Next-Generation DRAM Bonding développée dans le cadre du programme Advanced Memory Technology R&D, supervisé par le département américain de l’Énergie via le laboratoire national Sandia National Laboratories.Selon Joshua Fryman, responsable technique chez Intel Government Technologies, les architectures mémoire classiques ne suffisent plus pour répondre aux exigences de l’IA moderne, ce qui impose une refonte profonde de l’organisation de la DRAM.Les premiers prototypes pleinement fonctionnels sont attendus en 2027, avec une commercialisation envisagée à l’horizon 2030.
Un marché sous tension, mais une fenêtre de tir étroite
Le timing joue un rôle déterminant. Le marché de la HBM connaît actuellement une forte tension : hausse des prix d’environ 30 % fin 2025 et capacités de production réservées jusqu’en 2027 chez Micron Technology et SK Hynix.Dans ce contexte, Intel tente de se positionner comme une solution de rupture face à des acteurs établis tels que Samsung Electronics, SK Hynix ou Micron. Toutefois, d’ici à 2030, ces industriels pourraient avoir fait évoluer la HBM de manière incrémentale, consolidant leur avance avec des solutions éprouvées et déjà industrialisées.
L’ombre persistante d’Optane
Impossible d’ignorer le précédent d’Intel Optane. Basée sur la technologie 3D XPoint, cette solution promettait elle aussi de transformer la hiérarchie mémoire. Elle s’est finalement soldée par des pertes financières massives et un retrait complet du marché.La Z-Angle Memory se présente comme une nouvelle tentative d’Intel pour reprendre la main sur un segment stratégique qu’il ne domine plus depuis des décennies. Mais entre la démonstration d’un prototype et l’adoption massive par des clients soumis à une pression immédiate en matière d’IA, l’écart reste considérable.La technologie est prometteuse. Reste à savoir si, en 2030, le marché aura encore besoin de cette rupture — ou s’il aura déjà trouvé ailleurs des réponses suffisantes.
source: clubic